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4nm封装工艺迎来突破, 中国芯崛起了? 哪有那么简单!

众所周知,在华为被断芯后,中国科技几乎都聚焦于半导体产业,就是为了能够在芯片制造方面取得突破,从而打破美芯片“卡脖”,实现芯片自由。经过;而一段时间的努力,不可否认,中国在半导体领域有了很大的进步,尤其在芯片封装工艺上取得了重大突破。目前,中国已经成功突破了4nm封装工艺,和全球顶尖水平相当。那么这是否就意味着,中国芯崛起了?

芯片制造过程很复杂,主要分为三个环节,其一就是芯片设计,华为海思在这方面是强项,华为手机所使用的麒麟芯片就是由华为海思设计,然后交给台积电等芯片代工厂进行生产。所以在华为被断供后,华为海思设计的芯片就无法被代工了。

其二就是芯片制造,这也是目前中国芯片产业所面临的最大难题。芯片制造过程中自然离不开制造设备、原材料等等。尤其要制造高端芯片就少不了EUV光刻机,ASML公司受限于芯片禁令,无法出货给中国科技企业,所以这也给我国制造高端芯片造成了不小的麻烦。

其三就是芯片封装,芯片制造出来以后,需要经过封装才能使用。封装工艺的高低也能直接影响芯片的良品率,所以封装工艺在整个芯片制造过程也起到了关键性的作用。

就目前来看,我国在芯片封装技术是处于领先水平的,4nm封装工艺的突破,确实给了中国芯一个机会。目前先进制程工艺其实已经无限接近于物理极限了,所以如果想要打造高端芯片,或许要解决的并不是EUV光刻机的问题,而是找到另外的方法,而封装技术可能就会成为一个新的突破口。

以苹果为例,苹果发布的M1 Ultra芯片就是通过台积电CoWoS-S封装技术实现了性能叠加,实现了1+1>2的效果。而华为也申请了芯片叠加专利,只要将两枚14nm芯片叠加在一起,就能拥有等同7nm芯片的性能水平。

话说回来,就算中国的封装工艺还没有达到顶尖水平,这也是全球芯片产业需要思考的问题。物理极限是绕不开的,这也是全球芯片发展的瓶颈。所以与其将更多的精力放在研发EUV光刻机上,还不如想想有什么新技术能够取代光刻机,一旦中国芯抓住了这个机会,或许就能实现弯道超车。

最后,中国芯片封装工艺有所突破,对于中国芯的发展是具有积极意义的。在顶尖的封装工艺加持下,通过多芯片的重组堆叠,我们也能实现和高端芯片同样的性能水平。而这也将降低中国芯对光刻机的依赖,也算是“去美化”进程中的重要一步。

当然,芯片制造这条路并不好走,欧美国家起步较早,给中国芯建起了重重技术壁垒。我们只能“关关难过关关过”,一步一步来,不能太心急了!只要每一步都走的踏实,总有一天我们能够打破美芯片的“拉脖”。对此,你怎么看呢?欢迎评论留言!

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